电子半导体行业特点：产业规模大、细分行业多、技术门槛高

      对于半导体芯片产业来说，主要可以分为设计、制造和封测三个关键环节。近年来，随着国家对于半导体产业的重视和扶持，国产半导体厂商在这个三个环节都取得了长足的进步。特别是在设计和封测这两块，国内已有一些厂商进入到了全球领先行列。但是在半导体制造这块，与国外厂商之间的差距依然很大。而对于本就处于弱势的国产半导体制造来说，其所需的关键设备，半导体材料和零部件，中国更是极为薄弱。

      CMP 全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是普通抛光技术的高端升级版本。集成电路制造过程好比建房子，每搭建一层楼层都需要让楼层足够水平齐整，才能在其上方继续搭建另一层楼，否则楼面就会高低不平，影响整体可靠性，而这个使楼层整体平整的技术在集成电路中制造中用的就是化学机械抛光技术。

      CMP抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。碧菲CMP纳米粒子抛光液已在130-7nm技术节点实现技术突破，可以应用于国内8英寸和12英寸主流晶圆产线。根据抛光对象不同，碧菲CMP纳米粒子抛光液包括铜及铜阻挡层系列、钨抛光液、硅抛光液、氧化物抛光液等产品。

      碧菲BFCMP通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合，对集成电路器件表面进行平滑处理，并使之高度平整的工艺技术。当前集成电路中主要是通过 CMP 工艺，对晶圆表面进行精度打磨，并可到达全局平整落差 50A°-1000A°（相当于原子级 5-100nm）超高平整度。

CMP 主要运用在在单晶硅片抛光及多层布线金属互连结构工艺中的层间平坦化。集成电路制造需要在单晶硅片上执行一系列的物理和化学操作，同时随着器件特征尺寸的缩小，需要更多的生产工序，其中 90nm 以下的制程生产工艺均在 400 个工序以上。就抛光研磨工艺而言，不同制程的产品需要不同的抛光流程，28nm制程需要12-13次CMP，进入10nm制程后CMP次数将翻倍，达到25-30次。